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        深圳市誠芯微科技股份有限公司
        SHENZHEN CHENG XIN WEI TECHNOLOGY CO.,LTD
        CX75GD015E:誠芯微65W合封氮化鎵快充參考設計
        January 01, 2024

          這是一款65W氮化鎵(1A1C) PD快充電源方案,該方案采用CX75GD015E+CX7539F ,通過方案的設計和 PCB板布線實現了更好的電源性能。該款65W集成GaN PD快充方案具有小體積低溫升、高效率、支持多協議快充等優勢,適用于充電器、電源適配器、筆記本電腦、擴展塢等數碼產品中。


          65W合封氮化鎵快充方案特性:

        1、輸入電壓范圍90VAC~264VAC

        2、輸入待機功耗低于75mW @230VAC

        3、輸出C口(5VDC/3A、9VDC/3A、12VDC/3A、15VDC/3A、20VDC/3.25A)

        4、輸出總功率為65W

        5、輸出C口紋波134mV

        6、具有輸出過流保護、短路保護、過溫保護等功能

        7、符合“DOE&COC”6級能效標準

        8、通過EN55022 ClassB的EMI測試標準

        9、通過EFT、Surge 4KV測試標準        

          


           USB-A口支持FCP、SCP、AFC、QC3+、DCP、Apple2.4A充電協議。

         USB-C口支持FCP、SCP、AFC、QC3+/5、PD3.0、PPS、DCP充電協議。USB-C口還具備5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A五組固定電壓檔位,以及3.3-11VF3A、3.3-16V3A兩組PPS電壓檔位。


          整個電源方案是由CX75GD015E和同步整流器CX7539F構成,高功率密度設計、高集成、環路穩定性更佳、且能夠大大降低整體成本。該款快充方案支持90~264V寬輸入電壓,輸出支持5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A。該款65W合封氮化鎵快充參考設計采用兩塊小板,輸出小板上焊接了協議芯片,簡化電路設計并提高空間利用率。


          CX75GD015E是一款集成高壓GaNFET功率器件高頻高性能準諧振式交直流轉換功率開關,應用于65W內高性能、低待機功率、低成本、高效率的隔離型反激式開關電源。


          CX75GD015E集成了完備的保護功能,包括:Vcc欠壓保護(UVLO),Vcc過壓保護(Vcc_OVP),輸入欠壓保護(Brown in),輸入過壓保護(Brown out),輸出過壓保護(VO_OVP),FB開短路保護以及副邊SR短路保護,CS開短路保護等。該方案采用了“多協議”設計,可兼容多個 PD協議,并支持5V、9V、12V、15V、20V電壓檔位輸出,可滿足多種3C數碼產品的充電需求。


          CX7539F是一顆高性能的開關電源次級側同步整流控制電路。在低壓大電流開關電源應用中,輕松滿足6級能效,是理想的超低導通壓降整流器件的解決方案。芯片可支持高達150kHz的開關頻率應用,并且支持CCM/QR/DCM等開關電源工作模式應用,其極低導通壓降產生的損耗遠小于肖特基二極管的導通損耗,極大提高了系統的轉換效率,大幅降低了整流器件的溫度。


          CX7539F是一款內置高壓 NMOSFET同步整流開關,且具有極低的內阻,可提供系統高達5A以內的應用輸出;IC 通過檢測集成 MOSFET 的源漏電壓來決定其開關狀態,能夠兼容連續模式、非連續和準諧振工作模式的反激轉換器。 


          CX75GD015E合封芯片能夠顯著降低器件數量,簡化充電器的設計。器件數量的減少可以降低充電器的量產成本并加快生產速度,從而加速搶占市場。得益于高集成合封氮化鎵的應用,這款65W快充設計電路非常精簡,不僅具有精簡的電路,效率提升,還具有非常高的功率密度。誠芯微目前已推出多款完整的氮化鎵快充解決方案,涵蓋25W、35W、45W、65W等多功率段。一顆合封氮化鎵芯片可輕松取代初級側兩到三顆芯片的功能,通過高集成度的合封芯片,設計出精簡高效的氮化鎵充電器,能夠有效地簡化充電器設計和生產流程,從而助力行業客戶快速搶占市場。

        (更多合封GaNPD快充方案、線路圖紙、變壓器設計、測試數據及應用要點等資料請聯系官方平臺獲?。?/span>

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